Location：
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor， Биполярный транзистор с изоляционной решеткой представляет собой композитный силовой полупроводниковый прибор, который сочетает в себе преимущества MOSFET (полевой транзистор) и BJT (биполярный транзистор)
| Код для заказа | Фото | Корпус | Тип | P расс | Uкэ(макс) | Iк(макс) | F гран | h 21 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LBC846BPDW1T1G (LRC) | – | – | 380 мВт | 65 В | 100 мА | 100 МГц | 200…475 | |
| LBC847BLT1G (LRC) | – | NPN | 225 мВт | 45 В | 100 мА | 100 МГц | 200…450 | |
| LMBTA64LT1G (LRC) | – | PNP | – | 30 В | 500 мА | 125 МГц | 10000…0 | |
| LMUN2111LT1G (LRC) | – | PNP | 400 мВт | 50 В | 100 мА | – | 35…0 | |
| LMUN2233LT1G (LRC) | – | NPN | 246 мВт | 50 В | 100 мА | – | 80…0 | |
| LMUN5211DW1T1G (LRC) | – | – | 385 мВт | 50 В | 100 мА | – | 35…0 | |
| BC856B (LRC) | – | – | – | – | – | – | – | |
| BC857C (LRC) | – | – | – | – | – | – | – | |
| L2SA1036KRLT1G (LRC) | – | PNP | – | 32 В | 500 мА | 200 МГц | 180…390 | |
| L2SA1037AKQLT1G (LRC) | – | PNP | – | 50 В | 150 мА | 140 МГц | 120…270 | |
| L2SA1037AKRLT1G (LRC) | – | PNP | 200 мВт | – | 150 мА | – | 180…0 | |
| L2SA1576AQT1G (LRC) | – | PNP | – | 50 В | 150 мА | 140 МГц | 120…270 | |
| L2SA1576ART1G (LRC) | – | PNP | 200 мВт | 50 В | 150 мА | 140 МГц | 180…390 | |
| L2SA1774QT1G (LRC) | – | PNP | 150 мВт | 50 В | 150 мА | 140 МГц | 120…270 | |
| L2SA812RLT1G (LRC) | – | PNP | 200 мВт | 50 В | 150 мА | 180 МГц | 180…390 | |
| L2SA812SLT1G (LRC) | – | PNP | 200 мВт | 50 В | 150 мА | 180 МГц | 270…560 | |
| L2SB1197KRLT1G (LRC) | – | PNP | – | 32 В | 800 мА | 200 МГц | 180…390 | |
| L2SC1623QLT1G (LRC) | – | NPN | 300 мВт | 50 В | 150 мА | 250 МГц | 120…270 | |
| L2SC1623RLT1G (LRC) | – | NPN | 300 мВт | 50 В | 150 мА | 250 МГц | 180…390 | |
| L2SC1623SLT1G (LRC) | – | NPN | – | 50 В | 150 мА | 250 МГц | 270…560 |